三星平泽P4一期将转为一起出产DRAM和NAND

  依据韩国媒体ZDNET Korea的报导称，韩国三星电子内部现已于第三季度决议调整平泽园区P4产线）的产能分配，即从单纯的出产NAND Flash，调整为出产NAND Flash + DRAM，以应对商场需求改动。

  报导称，三星电子这次的产能改动可由该产线的内部代号称号更改中看出来，原本该产线F”，结尾的“F”即指NAND Flash。但现在现在的称号现已更改为“P4H”，“H”是Hybrid混合的简写，显现产线将一起出产NAND Flash和DRAM。

  事实上，三星电子平泽园区P4产线第一期现已部分进驻NAND Flash出产设备，三星电子现在方案到年末前将该产线NAND Flash的出产能力提升至每月1万片晶圆。不过，因为商场的不确定性，到2025年中才有机会为V9 QLC NAND先进产品的进一步出资规划。

  而在DRAM出产部分，平泽园区P4产线万片晶圆的月产能，制程方面则是导入三星现在最为先进的10纳米级1a、1b制程技能，以应对竞争对手的产能扩张，并在三星内部其他DRAM产线技能晋级之际，继续坚持对商场的足够供给。

  依据规划，三星的平泽园区P4产线一共包括四期建置方案，其间三期DRAM产线行将开建，至于第二期晶圆代工产线则是在从前的决议中进一步暂缓出资。